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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
13.8
14.3
写入速度,GB/s
8.4
11.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2880
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
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