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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
13.8
16.3
写入速度,GB/s
8.4
12.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3314
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
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