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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.8
14.7
写入速度,GB/s
8.4
11.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2658
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB RAM的比较
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
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