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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
16.9
写入速度,GB/s
8.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3236
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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