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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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更快的读取速度,GB/s
18.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
18.1
写入速度,GB/s
8.4
15.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3733
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
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