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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
13.8
17.3
写入速度,GB/s
8.4
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3432
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
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