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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
82
左右 67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
82
读取速度,GB/s
13.8
12.3
写入速度,GB/s
8.4
11.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1930
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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