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PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.8
18.9
写入速度,GB/s
8.4
17.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3983
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
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Kingston KHX2400C15/16G 16GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
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