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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
19.9
写入速度,GB/s
8.4
16.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3886
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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