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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
17.3
写入速度,GB/s
8.4
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3675
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
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