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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.8
17.8
写入速度,GB/s
8.4
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3126
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
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