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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.8
16.1
写入速度,GB/s
8.4
14.4
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3416
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KY7N41-MIE 8GB
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Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
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