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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.8
15.9
写入速度,GB/s
8.4
12.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2907
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
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