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PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
13.8
17.5
写入速度,GB/s
8.4
14.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2900
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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