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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
69
左右 61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
69
读取速度,GB/s
13.8
13.6
写入速度,GB/s
8.4
6.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1598
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
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