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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.8
17.8
写入速度,GB/s
8.4
13.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3115
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
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