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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.8
18.4
写入速度,GB/s
8.4
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3222
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
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