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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.8
15.4
写入速度,GB/s
8.4
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2771
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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