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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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更快的读取速度,GB/s
18.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
18.4
写入速度,GB/s
8.4
15.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3711
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB RAM的比较
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
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