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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.8
17.7
写入速度,GB/s
8.4
14.5
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3547
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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