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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
27
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
17
读取速度,GB/s
13.8
21.6
写入速度,GB/s
8.4
17.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3702
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
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