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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
27
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
18
读取速度,GB/s
13.8
20.5
写入速度,GB/s
8.4
16.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3575
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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