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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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更快的读取速度,GB/s
18.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
18.4
写入速度,GB/s
8.4
16.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3701
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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