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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
27
左右 -69% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
16
读取速度,GB/s
13.8
22.1
写入速度,GB/s
8.4
18.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3906
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
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