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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
25.3
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
21.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.8
25.3
写入速度,GB/s
8.4
21.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
4252
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
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