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PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.8
18.6
写入速度,GB/s
8.4
14.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3413
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-034.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
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