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PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
77
左右 65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
77
读取速度,GB/s
13.8
14.7
写入速度,GB/s
8.4
7.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1688
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
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