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PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
64
左右 58% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
64
读取速度,GB/s
13.8
16.1
写入速度,GB/s
8.4
8.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2037
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
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Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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Kingston HX424C15FB/16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
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