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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
69
左右 61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
69
读取速度,GB/s
13.8
14.0
写入速度,GB/s
8.4
6.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1542
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
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