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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905630-007.A00G 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
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更快的读取速度,GB/s
14.2
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
14.2
写入速度,GB/s
8.4
9.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2387
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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