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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905668-001.A00G 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
70
左右 61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
70
读取速度,GB/s
13.8
9.0
写入速度,GB/s
8.4
6.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1363
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Kingston 9905668-001.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
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