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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905678-058.A00G 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
13.8
17.5
写入速度,GB/s
8.4
12.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2709
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
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