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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905744-027.A00G 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 41% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.1
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
46
读取速度,GB/s
13.8
19.1
写入速度,GB/s
8.4
15.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3168
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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