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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9965589-005.A01G 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
44
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
44
读取速度,GB/s
13.8
11.2
写入速度,GB/s
8.4
7.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2146
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
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