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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9965604-008.C00G 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
47
读取速度,GB/s
13.8
11.0
写入速度,GB/s
8.4
8.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2341
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
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