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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9965667-001.A00G 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
13.8
10.1
写入速度,GB/s
8.4
7.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2168
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
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Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
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