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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9965669-009.A00G 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.8
10.3
写入速度,GB/s
8.4
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2175
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
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