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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9965690-002.A00G 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
5.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.8
9.7
写入速度,GB/s
8.4
5.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 23 29 37 38
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1859
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
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AMD R9S48G3206U2S 8GB
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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