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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston HX424C15PB/4 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston HX424C15PB/4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
68
左右 60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HX424C15PB/4 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
68
读取速度,GB/s
13.8
15.5
写入速度,GB/s
8.4
6.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1310
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
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Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
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