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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston K000MD44U 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston K000MD44U 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston K000MD44U 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
13.8
14.9
写入速度,GB/s
8.4
9.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2262
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
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