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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.4
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
35
读取速度,GB/s
13.8
13.6
写入速度,GB/s
8.4
9.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2440
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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