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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KHX2400C15/8G 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
13.8
16.5
写入速度,GB/s
8.4
11.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3033
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
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