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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
13.8
16.9
写入速度,GB/s
8.4
13.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3141
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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INTENSO 5641152 4GB
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
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G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
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Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
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Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Corsair CM2X2048-8500C5D 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
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