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PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.8
14.5
写入速度,GB/s
8.4
10.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2480
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
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Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ME68FAF1600 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/4G 4GB
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