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PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
13.8
12.8
写入速度,GB/s
8.4
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2785
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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