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PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
27
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
25
读取速度,GB/s
13.8
15.0
写入速度,GB/s
8.4
11.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2892
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
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