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PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
13.8
13.5
写入速度,GB/s
8.4
11.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2891
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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