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PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
32
左右 16% 更低的延时
需要考虑的原因
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
32
读取速度,GB/s
13.8
15.7
写入速度,GB/s
8.4
14.9
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3368
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905403-512.A00LF 8GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix CT102464BF160B.C16 8GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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