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PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
18.0
写入速度,GB/s
8.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3211
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-008.D01G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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