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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
16.4
写入速度,GB/s
8.4
13.1
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3310
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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